정림반도체, 11조 투입 첨단 D램 3라인 증설…2029년 가동

정림반도체가 11조2000억원을 들여 차세대 D램 라인을 증설한다. 착공은 내년 상반기, 양산은 2029년 목표다.

한지우기자
입력 2026.07.29 04:06 · 수정 04:06· 조회 0
정림반도체, 11조 투입 첨단 D램 3라인 증설…2029년 가동
▲ 생산라인 증설 공사가 진행 중인 산업단지의 모습

국내 메모리 업체 정림반도체가 11조2000억원을 투입해 차세대 D램 생산라인 3개 동을 증설한다고 29일 밝혔다. 회사는 내년 상반기 착공해 2029년 상반기 양산에 들어간다는 계획이다. 완공 시 이 회사의 월 웨이퍼 생산능력은 현재보다 38% 늘어난다.

증설분은 인공지능(AI) 서버용 고대역폭 메모리(HBM)와 서버용 고용량 D램에 집중된다. 회사 측은 지난해 전체 매출에서 AI용 메모리가 차지하는 비중이 19%였으나 올해 상반기 31%로 뛰었다고 설명했다. 신규 라인에는 직접 고용 2200명, 협력사를 포함한 간접 고용 8000여명이 발생할 것으로 추산된다.

관건은 전력과 용수다. 신규 라인이 모두 가동되면 필요한 전력은 약 1.1GW로, 중형 발전소 한 기 규모다. 업계 관계자는 “장비를 들여놓고도 계통 접속을 기다리다 반년을 흘려보내는 사례가 있다”며 “인허가보다 전력·용수 인프라 일정이 실질적인 병목”이라고 말했다.

정부도 지원 방안을 검토 중이다. 산업 당국 관계자는 “반도체 특화단지 내 송전 설비 보강과 용수 공급 계획을 사업자 일정에 맞춰 앞당기는 방안을 협의하고 있다”고 밝혔다. 국가전략기술 시설투자 세액공제를 적용받으면 이번 투자에서만 1조원 안팎의 공제가 예상된다.

다만 시장 전망은 엇갈린다. 메모리 업황이 2027년 이후 조정 국면에 들어갈 경우 대규모 증설이 공급 과잉으로 이어질 수 있다는 우려도 나온다. 회사는 다음 달 투자설명회에서 세부 투자 일정과 자금 조달 계획을 공개할 예정이다.

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한지우 기자 · 경제부에서 취재합니다.기자 구독 +
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